酸化物半導体駆動の液晶パネル向けのCu-Mn配線の開発に成功 !
日経エレクトロニクス 2010 7/5 掲載

酸化物半導体TFTの配線材料としてCu-Mn合金の開発に成功しました。本実験に用いた酸化物半導体は、アモルファスIGZO(In-Ga-Zn-O)である。Cu-Mn合金をスパッタで成膜後、熱処理を施すことによりMnとIGZO層が反応し、界面にMn酸化物と酸素欠損型IGZO層が形成した。Cu-Mn、IGZO間はオーミック特性を示し、TFT素子を作製しトランジスタ特性を評価したとこと、On/Off比は7桁以上であった。
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